دانلود کتاب اپیتکسی باریکه مولکولی ۲۰۱۹ Molecular Beam Epitaxy 2019

  • تمامی کتاب‌های سایت به زبان انگلیسی هستند.
  • در صورت درخواست، امکان تألیف و تولید نسخه فارسی بر اساس منابع معتبر وجود دارد.
پشتیبانی ایتا پشتیبانی بله پشتیبانی تلگرام
شناسه محصول: book_21018 دسته‌بندی: تاریخ به روز رسانی: 3 مرداد 1405

368,000 تومان

torobpay
هر قسط با ترب‌پی: 92,000 تومان
۴ قسط ماهانه. بدون سود، چک و ضامن.
snapppay
هر قسط با اسنپ‌پی: 92,000 تومان
۴ قسط ماهانه. بدون سود، چک و ضامن.

معرفی کتاب اپیتکسی باریکه مولکولی ۲۰۱۹ پوشش‌دهنده مبانی و جدیدترین فناوری‌های مورد استفاده در MBE این کتاب که توسط محققان متخصص در خط مقدم این حوزه نوشته شده است، مبانی فناوری و علم اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) و همچنین جدیدترین فناوری MBE برای کاربردهای دستگاه‌های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی را پوشش می‌دهد. کاربردهای MBE در مواد نیمه‌رسانای مغناطیسی نیز برای کاربردهای آتی دستگاه‌های مغناطیسی و اسپینترونیکی گنجانده شده است. *اپیتاکسی پرتو مولکولی: مواد و کاربردها برای الکترونیک و اپتوالکترونیک* در پنج بخش ارائه شده است: مبانی MBE؛ فناوری MBE برای کاربرد در دستگاه‌های الکترونیکی؛ MBE برای دستگاه‌های اپتوالکترونیکی؛ نیمه‌رساناهای مغناطیسی و دستگاه‌های اسپینترونیکی؛ و چالش MBE برای مواد جدید و تحقیقات جدید. این کتاب شامل فصل‌هایی است که تاریخچه MBE؛ اصول MBE و مکانیسم اساسی رشد MBE؛ اپیتاکسی تقویت‌شده با مهاجرت و کاربرد آن؛ تشکیل نقاط کوانتومی و رشد انتخابی ناحیه‌ای توسط MBE؛ MBE نیمه‌رساناهای III-نیترید برای دستگاه‌های الکترونیکی؛ MBE برای ترانزیستورهای تونلی (Tunnel-FETs)؛ کاربردهای نقاط کوانتومی نیمه‌رسانای III-V در دستگاه‌های اپتوالکترونیکی؛ MBE هتروساختارهای III-V و III-نیترید برای دستگاه‌های اپتوالکترونیکی با طول موج‌های انتشار از THz تا فرابنفش؛ MBE نیمه‌رساناهای III-V برای آشکارسازهای نوری مادون قرمز میانی و سلول‌های خورشیدی؛ مواد نیمه‌رسانای مغناطیسی رقیق و هتروساختارهای فرومغناطیس/نیمه‌رسانا و کاربرد آن‌ها در دستگاه‌های اسپینترونیکی؛ کاربردهای نیمه‌رساناهای III-V حاوی بیسموت در دستگاه‌ها؛ رشد MBE و کاربردهای دستگاهی Ga2O3؛ ساختارهای نیمه‌رسانای ناهم‌ظرفیتی و کاربردهای دستگاهی آن‌ها و موارد دیگر را شامل می‌شود. * شامل فصل‌هایی در مورد مبانی MBE است * پوشش‌دهنده تحقیقات چالش‌برانگیز جدید در MBE و فناوری‌های جدید است * ویرایش شده توسط دو پیشگام در زمینه MBE با مشارکت نویسندگان مشهور MBE از جمله سه برنده جایزه Al Cho MBE * بخشی از مجموعه مواد برای کاربردهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی *اپیتاکسی پرتو مولکولی: مواد و کاربردها برای الکترونیک و اپتوالکترونیک* برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی، محققان در دانشگاه و صنعت و سایر علاقه‌مندان به زمینه رشد اپیتاکسی جذاب خواهد بود. فهرست کتاب: ۱. روی جلد ۲. فهرست مطالب ۳. فهرست مشارکت‌کنندگان ۴. پیشگفتار مجموعه ۵. پیشگفتار ۶. بخش اول: مبانی MBE ۷. بخش دوم: فناوری MBE برای کاربرد در ادوات الکترونیکی ۸. بخش سوم: MBE برای ادوات اپتوالکترونیکی ۹. بخش چهارم: نیمه‌رساناهای مغناطیسی و ادوات اسپینترونیکی ۱۰. بخش پنجم: چالش MBE برای مواد جدید و تحقیقات نوین ۱۱. نمایه ۱۲. توافقنامه مجوز کاربری نهایی توضیحات(انگلیسی) Covers both the fundamentals and the state-of-the-art technology used for MBE Written by expert researchers working on the frontlines of the field, this book covers fundamentals of Molecular Beam Epitaxy (MBE) technology and science, as well as state-of-the-art MBE technology for electronic and optoelectronic device applications. MBE applications to magnetic semiconductor materials are also included for future magnetic and spintronic device applications. Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics is presented in five parts: Fundamentals of MBE; MBE technology for electronic devices application; MBE for optoelectronic devices; Magnetic semiconductors and spintronics devices; and Challenge of MBE to new materials and new researches. The book offers chapters covering the history of MBE; principles of MBE and fundamental mechanism of MBE growth; migration enhanced epitaxy and its application; quantum dot formation and selective area growth by MBE; MBE of III-nitride semiconductors for electronic devices; MBE for Tunnel-FETs; applications of III-V semiconductor quantum dots in optoelectronic devices; MBE of III-V and III-nitride heterostructures for optoelectronic devices with emission wavelengths from THz to ultraviolet; MBE of III-V semiconductors for mid-infrared photodetectors and solar cells; dilute magnetic semiconductor materials and ferromagnet/semiconductor heterostructures and their application to spintronic devices; applications of bismuth-containing III–V semiconductors in devices; MBE growth and device applications of Ga2O3; Heterovalent semiconductor structures and their device applications; and more. Includes chapters on the fundamentals of MBE Covers new challenging researches in MBE and new technologies Edited by two pioneers in the field of MBE with contributions from well-known MBE authors including three Al Cho MBE Award winners Part of the Materials for Electronic and Optoelectronic Applications series Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics will appeal to graduate students, researchers in academia and industry, and others interested in the area of epitaxial growth. Table of Contents 1. Cover 2. Table of Contents 3. List of Contributors 4. Series Preface 5. Preface 6. Part I: Fundamentals of MBE 7. Part II: MBE Technology for Electronic Devices Application 8. Part III: MBE for Optoelectronic Devices 9. Part IV: Magnetic Semiconductors and Spintronics Devices 10. Part V: Challenge of MBE to New Materials and New Researches 11. Index 12. End User License Agreement

نقد و بررسی‌ها

نقد و بررسی وجود ندارد.

افزودن نقد و بررسی

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

سبد خرید

سبد خرید شما خالی است.

ورود به سایت