دانلود کتاب آشنایی با حافظه تصادفی مغناطیسی ۲۰۱۶ Introduction to Magnetic Random-Access Memory 2016

معرفی کتاب آشنایی با حافظه تصادفی مغناطیسی ۲۰۱۶ حافظه‌ی دسترسی تصادفی مغناطیسی (MRAM) آماده است تا جایگزین حافظه‌های رایانه‌ای سنتی مبتنی بر نیمه‌رساناهای اکسید فلزی مکمل (CMOS) شود. MRAM از نظر غیر فرار بودن، اتلاف انرژی کم، سرعت سوئیچینگ بالا، مقاومت در برابر تشعشع و دوام، از تمامی انواع دیگر دستگاه‌های حافظه پیشی خواهد گرفت. اگرچه MRAM-تغییر وضعیت (toggle-MRAM) در حال حاضر یک محصول تجاری است، اما واضح است که پیشرفت‌های آینده در MRAM مبتنی بر گشتاور انتقال اسپین خواهد بود که از تکانه زاویه‌ای اسپین الکترون‌ها به جای بار آنها استفاده می‌کند. MRAM نیازمند ادغام فناوری‌های مغناطیسی و میکروالکترونیک است. با این حال، محققان و توسعه‌دهندگان در زمینه‌های مغناطیس و میکروالکترونیک در کنفرانس‌های فنی مختلف شرکت می‌کنند، در مجلات مختلف منتشر می‌کنند، از ابزارهای مختلف استفاده می‌کنند و پیشینه‌های متفاوتی در فیزیک ماده چگال، مهندسی برق و علم مواد دارند. این کتاب مقدمه‌ای بر MRAM برای مهندسان میکروالکترونیک است که توسط متخصصان مواد و دستگاه‌های مغناطیسی نوشته شده است. این کتاب پدیده‌های اساسی دخیل در MRAM، مواد و پشته‌های فیلم مورد استفاده، اصول اساسی انواع مختلف MRAM (تغییر وضعیت و گشتاور انتقال اسپین؛ مغناطیسی شده در صفحه یا عمود بر صفحه)، فناوری مغناطیسی پشتیبان و تحولات اخیر در جهت معماری‌های منطق در حافظه را ارائه می‌دهد. این کتاب به پر کردن شکاف فرهنگی بین جوامع میکروالکترونیک و مغناطیس کمک می‌کند. فهرست کتاب: ۱. روی جلد ۲. صفحه مجموعه ۳. صفحه عنوان ۴. حق نشر ۵. درباره ویراستاران ۶. پیشگفتار: چشم‌اندازی بر فناوری حافظه مغناطیسی غیر فرار ۷. فصل ۱: پدیده‌های بنیادی انتقال اسپینی ۸. فصل ۲: خواص مغناطیسی مواد برای MRAM ۹. فصل ۳: میکرومغناطیس کاربردی در نانوساختارهای مغناطیسی ۱۰. فصل ۴: دینامیک مغناطش ۱۱. فصل ۵: حافظه مغناطیسی با دسترسی تصادفی ۱۲. فصل ۶: فناوری پشتیبان مغناطیسی ۱۳. فصل ۷: فراتر از MRAM: منطق-در-حافظه غیر فرار VLSI ۱۴. پیوست: یکاها برای خواص مغناطیسی ۱۵. نمایه‌ ۱۶. توافقنامه مجوز کاربر نهایی توضیحات(انگلیسی) Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Although toggle-MRAM is currently a commercial product, it is clear that future developments in MRAM will be based on spin-transfer torque, which makes use of electrons’ spin angular momentum instead of their charge. MRAM will require an amalgamation of magnetics and microelectronics technologies. However, researchers and developers in magnetics and in microelectronics attend different technical conferences, publish in different journals, use different tools, and have different backgrounds in condensed-matter physics, electrical engineering, and materials science. This book is an introduction to MRAM for microelectronics engineers written by specialists in magnetic materials and devices. It presents the basic phenomena involved in MRAM, the materials and film stacks being used, the basic principles of the various types of MRAM (toggle and spin-transfer torque; magnetized in-plane or perpendicular-to-plane), the back-end magnetic technology, and recent developments toward logic-in-memory architectures. It helps bridge the cultural gap between the microelectronics and magnetics communities. Table of Contents 1. Cover 2. Series Page 3. Title Page 4. Copyright 5. About the Editors 6. Preface: A Perspective on Nonvolatile Magnetic Memory Technology 7. Chapter 1: Basic Spintronic Transport Phenomena 8. Chapter 2: Magnetic Properties of Materials for MRAM 9. Chapter 3: Micromagnetism Applied to Magnetic Nanostructures 10. Chapter 4: Magnetization Dynamics 11. Chapter 5: Magnetic Random-Access Memory 12. Chapter 6: Magnetic Back-End Technology 13. Chapter 7: Beyond MRAM: Nonvolatile Logic-In-Memory VLSI 14. Appendix: Units for Magnetic Properties 15. Index 16. End User License Agreement